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电子元器件详细资料 » IC[27646] » SI6913DQ-T1-GE3
型号:SI6913DQ-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)描述:MOSFET P-CH D-S 12V 8-TSSOP

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET P-CH D-S 12V 8-TSSOP
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.9A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C21 毫欧 @ 5.8A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222900mV @ 400µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs28nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大830mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装8-TSSOP
包装剪切带 (CT)

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市宇明芯科技有限公司李小姐0755-83051566
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市旺财半导体有限公司李先生86-83209217
上海鑫丰电子技术有限公司陈小姐 张先生086-021-51875986/51872153
深圳伟诚铭科技有限公司陈086-0755-66887761
深圳市成鼎业科技有限公司张0755-82769062
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SI6913DQ-T1-GE3相关型号

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